Description
Format NVMe M.2 2280
Vitesse lecture / écriture : 3500 / 3300 Mo/s
Technologie V-NAND 3bit MLC
98,00 €
Format NVMe v1,4 PCIe Gen 3.0 M.2 2280
Vitesse lecture / écriture : 3500 / 3300 Mo/s
Performance lecture / écriture : 480k / 550k IOPS
Technologie V-NAND 3bit MLC
MTBF : 1,5 Millions d’heures
Format NVMe M.2 2280
Vitesse lecture / écriture : 3500 / 3300 Mo/s
Technologie V-NAND 3bit MLC
Model | MZ-V8V500BW |
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Capacité | 500Gb |
Facteur de forme | M.2 2280 |
Interface | PCIe Gen3 x4 NVMe v1.4 |
Vitesse de lecture séquentielle | Jusqu'à 6900 Mo/s |
Vitesse d'écriture séquentielle | Jusqu'à 5000 Mo/s |
Mémoire de stockage | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
Mémoire cache | HMB(Host Memory Buffer) |
Endurance (TBW) | 300 |
Dimensions (L x l x H) | 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm) |
Garantie | 5 ans ou 300 To écrits (constructeur) |